Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN26D0UT-7
12,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN26D0UT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT523
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,23А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C

18,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

38,65 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
Резистор: thick film; 12,1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0805; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0805; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

46,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48нКл