Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB22N65E-GE3
243,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB22N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: дротяний; 7,5Ом; 250Вт; осьові
Резистор: дротяний; 7,5Ом; 250Вт; осьові

3110,12 грн

Виводи:
осьові
Опір:
7,5Ом
Потужність:
0,25кВт
Тип резистора:
дротяний
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,047мкФ; 400ВDC; 12x5x13,3мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,047мкФ; 400ВDC; 12x5x13,3мм; THT

6,59 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
47нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel

8229,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25

7,48 грн

Активний стан:
високе
Вид об'єднаної схеми:
high-side; USB switch
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS

10,77 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,365Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK