IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel

Немає в наявності
Код товару: IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR
8229,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 36Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 1Mx36bit
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25

7,48 грн

Активний стан:
високе
Вид об'єднаної схеми:
high-side; USB switch
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS

10,77 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,365Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷160ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷160ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА

1794,22 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,8А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Резистор: дротяний; 68Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові; L: 9,5мм
Резистор: дротяний; 68Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові; L: 9,5мм

3,67 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; CFP15,SOT1289; SMD; 45В; 14А; 17нс
Діод: випрямний Шотткі; CFP15,SOT1289; SMD; 45В; 14А; 17нс

39,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,4нФ
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
CFP15; SOT1289
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM