Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,6А; Idm: 61,8А; 208Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,6А; Idm: 61,8А; 208Вт
Brand: ONSEMI
SKU: FCH190N65F-F155
Price: 312.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FCH190N65F-F155

312,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

FCH190N65F-F155

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

60нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,19Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

208Вт

Струм стока:

20,6А

Струм стоку в імпульсі:

61,8А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO251

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,14мкКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class

Заряд затвора:
80нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet

Заряд затвора:
358нКл