Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 69А; 240Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: NTB110N65S3HF
223,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 69А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 305ВAC; 18x12,5x7мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 305ВAC; 18x12,5x7мм; THT

11,78 грн

Вид конденсатора:
X2
Висота:
12,5мм
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 18,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 18,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

25,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
6,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD