Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: SIHD6N65E-GE3
112,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHD6N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,4В; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,4В; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C

206,54 грн

Ємність:
0,1нФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 167мА; SIP; THT; 19,65x7,05x10,16мм
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 167мА; SIP; THT; 19,65x7,05x10,16мм

Використання:
IT
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
5В DC
Недоступний
IC: периферійна схема; 8bit,зрушуючий регістр; THT; DIP16; туба
IC: периферійна схема; 8bit,зрушуючий регістр; THT; DIP16; туба

96,93 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид об'єднаної схеми:
8bit; зрушуючий регістр
Вид упаковки:
туба
Використання:
automotive LED drivers
Недоступний
Резистор: thin film; 3,32кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 3,32кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

88,70 грн

Виводи:
радіальні
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD

424,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; POR
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2S; SPI; UART; USB
Кількість входів/виходів:
48
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD