1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 22А; Idm: 83А; 17Вт; WDFN8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 22А; Idm: 83А; 17Вт; WDFN8
Немає в наявності
Код товару: NTTFS6H880NLTAG
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTTFS6H880NLTAG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 29мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 83А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 150нФ; 330ВAC; 18x12,5x7мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 150нФ; 330ВAC; 18x12,5x7мм; THT

13,56 грн

Вид конденсатора:
X1
Висота:
12,5мм
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

288,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD