Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 240А; Idm: 1110А; 214Вт

Немає в наявності
Код товару: FDB0250N807L
188,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB0250N807L
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 240А
Струм стоку в імпульсі: 1110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

34,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; (ON)-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; (ON)-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100

192,60 грн

Виводи:
для друку
Довжина важеля:
10,41мм
Електрична стійкість:
40000 цикли
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Iвих: 3,6А; Iвих.2: 3,6А
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Iвих: 3,6А; Iвих.2: 3,6А

13050,57 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідний струм:
3,6А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD