1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2302
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2302
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 4,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

45,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,022мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,022мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В

1,34 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK