Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 47А; Idm: 350А; 45Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI075N08PQ
320,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI075N08PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 89нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 350А
Тип транзистора: N-MOSFET
Screwdriver bit: slot; 5.5x1mm; 1/4"; Overall len: 50mm
Screwdriver bit: slot; 5.5x1mm; 1/4"; Overall len: 50mm

165,99 грн

Type of screwdriver bit:
плоскa
Вид рукоятки:
F6,3mm
Загальна довжина:
50мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C

8,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2мкГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 2мкГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм

18,31 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
5,7x5,2x1,6мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 250В; -20÷80%; THT; 7,5мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 250В; -20÷80%; THT; 7,5мм

14,57 грн

Допуск:
-20...80%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C

121,01 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
200000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V

110,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263