Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 59А; Idm: 319А; 37Вт; DFN5

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 59А; Idm: 319А; 37Вт; DFN5
Brand: ONSEMI
SKU: NTMFS6H848NLT1G
Price: 28.70 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NTMFS6H848NLT1G

28,70 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1500

Крок додавання: 1500

Код товару:

NTMFS6H848NLT1G

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

25нКл

Корпус:

DFN5

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

8,8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

37Вт

Струм стока:

59А

Струм стоку в імпульсі:

319А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
37,9нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 48А; Idm: 248А; 46,2Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
67нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 24А; 15Вт; DFN2020-6

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
DFN2020-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5,8А; Idm: 23А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
37,9нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; Idm: 20А; 3,1Вт; SOP8

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,5нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD