Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 63,8А; DFN5060-8

Немає в наявності
Код товару: PSMQE070N08LS2_R2_00601
27,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 30000
Крок додавання: 30000
Код товару: PSMQE070N08LS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 80В
Поляризація: польовий
Струм стока: 63,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА

261,63 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток

14310,65 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
244
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм

6,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА

391,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
40мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром

1171,97 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
51,5мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323

24,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

101,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD