Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 74А; Idm: 432А; 44Вт; DFNW5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS6H836NWFT1G
65,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS6H836NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 6,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 74А
Струм стоку в імпульсі: 432А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мірник: електроустановки; ВAC: 0÷500В; ±(2%+3digit); IP51
Мірник: електроустановки; ВAC: 0÷500В; ±(2%+3digit); IP51

245189,10 грн

Cенсорна панель:
так
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 7"
Вимір:
THD; активної електричної енергії; активної потужності; гармонійних; імпедансу петлі короткого замикання; інтенсвності освітлення; інтенсивності інсоляції; напруги AC; опору заземлення; опору ізоляції; пасивної потужності; реактивної електричної енергії; струму звільнення вимикачів RCD; температури; уявної електричної енергії; уявної потужності; частоти; часу звільнення вимикачів RCD
Вимірювальна напруга:
50В; 100В; 250В; 500В; 1кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603

4,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,1пФ
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67÷7,37В; 38,8А; двоспрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67÷7,37В; 38,8А; двоспрямована; SMA; SMAJ

24,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT

174,86 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
44
Недоступний
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm

252,79 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack

43,72 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252