Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,1А; Idm: 32А; 178Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: FQP8N80C
177,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQP8N80C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 178Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,67В; 58,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,67В; 58,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц

71,59 грн

Max DNL:
±0,1LSB
Max INL:
±0,1LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR
Недоступний
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 35мм2; 2AWG; ПВХ; білий; 450В,750В
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 35мм2; 2AWG; ПВХ; білий; 450В,750В

735,56 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H07V2-K
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 83,3÷92,5В; 5А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 83,3÷92,5В; 5А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ

4,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Корпус:
SMB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 61,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 61,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

308,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,7А; Idm: 25А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,7А; Idm: 25А; 1,4Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 90В; QFN3X3; SMD; 25А; SIDACtor®; UBO: 130В
Тиристор: TSS; Urmax: 90В; QFN3X3; SMD; 25А; SIDACtor®; UBO: 130В

36,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
broadband equipment
Зворотна напруга макс.:
90В
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT