Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP11N80E-GE3
216,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP11N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 440мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C

117,21 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%

9,88 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м

239,48 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; 3,3Вт; DirectFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; 3,3Вт; DirectFET

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DirectFET
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
60В
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; Milli-Grid; PIN: 14
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; Milli-Grid; PIN: 14

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
14
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A

131,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А

398,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
TO247-3