Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 9А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 9А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB
Brand: VISHAY
SKU: SIHP17N80AEF-GE3
Price: 186.26 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHP17N80AEF-GE3

186,26 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHP17N80AEF-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

63нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

305мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

179Вт

Струм стока:

9А

Струм стоку в імпульсі:

32А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
29нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
5,3нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
143нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
24нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO220AB