1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: S3M0040120D
432,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0040120D
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 46А
Струм стоку в імпульсі: 223А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 100ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 100ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

1,88 грн

Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,92 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А

2,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; Idm: 0,4А; 350мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; Idm: 0,4А; 350мВт; ESD

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
540пКл
Корпус:
SOT323
Недоступний
Резистор: thin film; 246Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 246Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 390нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 390нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT

167,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,39мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT