1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 360А; 1670Вт; 150нс

Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 360А; 1670Вт; 150нс
Немає в наявності
Код товару: IXFX360N15T2
1433,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFX360N15T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 715нКл
Корпус: PLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,67кВт
Струм стока: 360А
Технологія: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 36м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 36м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C

16253,19 грн

Довжина кабелю:
36м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Резистор: thick film; 2,2МОм; 3Вт; -65÷200°C; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 2,2МОм; 3Вт; -65÷200°C; 200ppm/°C

36,11 грн

Зовнішні розміри:
13,5x7,3x6,8мм
Опір:
2,2мОм
Потужність:
3Вт
Робоча температура:
-65...200°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 230Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 230Вт; TO220

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 6А; 90Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 6А; 90Вт; ESD

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 245Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 24А; 245Вт; TO220AB

153,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 77А; 312Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 77А; 312Вт

100,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт; TO3PF

334,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10,71А; 190Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10,71А; 190Вт; TO220-3

397,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 24А; 134Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 24А; 134Вт; TO247-3

1036,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT