Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 40В; 42А; Idm: 239А

Немає в наявності
Код товару: PSMN8R5-40MSDX
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN8R5-40MSDX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 16,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 239А
Технологія: NextPowerS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 17÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА; SMD-10
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 17÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА; SMD-10

511,91 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
17...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 2м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 6; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 2м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 6; PUR

2700,84 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; 1м; 30ВDC; 30ВAC; 2А; Жили: 8; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 8; 1м; 30ВDC; 30ВAC; 2А; Жили: 8; PUR

3020,15 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS

20,02 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; SO14

319,94 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Корпус:
SO14
Монтаж:
SMT
Смуга передачі:
1,9МГц
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 48МГц; 2,7÷5,5ВDC; SMD; TQFP32
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 48МГц; 2,7÷5,5ВDC; SMD; TQFP32

219,21 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCL; DMAC; PoR; PTC; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C; LIN; PMBus; RS485; SERCOM; SPI; USART
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD