Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; польовий; 40В; 83А; Idm: 400А

Name: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; польовий; 40В; 83А; Idm: 400А
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IAUC100N04S6L025ATMA1
Price: 23.44 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IAUC100N04S6L025ATMA1

23,44 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5000

Крок додавання: 5000

Код товару:

IAUC100N04S6L025ATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

34нКл

Корпус:

PG-TDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±16В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

3,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

62Вт

Струм стока:

83А

Струм стоку в імпульсі:

400А

Технологія:

OptiMOS™ 6

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
48нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD