Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 100А; 600Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXTK100N25P
750,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 100А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 380÷420В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 380÷420В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
342В
Корпус:
SMC
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; straight
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; straight

51,95 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
15
Недоступний
Кабель; 0,457м; SMA "папа",SMP "папа"; прямий; 50Ом
Кабель; 0,457м; SMA "папа",SMP "папа"; прямий; 50Ом

3210,22 грн

Вид кабелю:
Times Tflex 405
Довжина кабелю:
0,457м
Імпеданс:
50Ом
Конструкція кабелю/переходу:
SMA "папа"; SMP "папа"
Резистор: thin film; 43,2кОм; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 43,2кОм; 2x1,25x0,55мм

8,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
43,2кОм
Розміри корпусу:
2x1,25x0,55мм
Тип резистора:
thin film
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT