Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 117А; Idm: 297А; 535Вт

Немає в наявності
Код товару: DI120SIC026D7
741,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI120SIC026D7
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 535Вт
Струм стока: 117А
Струм стоку в імпульсі: 297А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; 1А; 1МГц; SO8; push-pull; 4,3÷14В; 0÷49%
IC: PMIC; контролер PWM; 1А; 1МГц; SO8; push-pull; 4,3÷14В; 0÷49%

196,40 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
туба
Використання:
SMPS
Вихідний струм:
1А
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В

117,84 грн

Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
pseudo-differential; single-ended
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
serial; SPI
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 64x16бит; 2,5÷5,5В; 2МГц
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 64x16бит; 2,5÷5,5В; 2МГц

14,89 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DSOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Антена; BEIDOU,Bluetooth,Galileo,GPS,WiFi,ZigBee; 50Ом; 55мм
Антена; BEIDOU,Bluetooth,Galileo,GPS,WiFi,ZigBee; 50Ом; 55мм

0,00 грн

Вид антени:
BEIDOU; Bluetooth; Galileo; GPS; WiFi; ZigBee
Довжина:
55мм
Імпеданс:
50Ом
Підключення:
RP-SMA; штекерний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М8 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М8 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC

809,05 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67; IP69K
Недоступний
Молоток; 340мм; 450г; гума; Ø: 58мм
Молоток; 340мм; 450г; гума; Ø: 58мм

178,66 грн

Вага головки:
450г
Діаметр наконечника:
58мм
Загальна довжина:
340мм
Матеріал наконечника:
гума
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252