1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 153Вт
Немає в наявності
Код товару: S2M0120120J
345,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S2M0120120J
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 29,6нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 212мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 153Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 10В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 10В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C

319,31 грн

Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 330мм

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 25мОм; ±20%; LSRN; 4,5А; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 25мОм; ±20%; LSRN; 4,5А; -40÷125°C

44,35 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; 25Вт; TO252

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN5x6

18,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3

182,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 290Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 290Вт; D2PAK

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD