Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 93А; 86Вт
Brand: ONSEMI
SKU: NTBG070N120M3S
Price: 247.72 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 93А; 86Вт

Немає в наявності

Код товару: NTBG070N120M3S

247,72 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

NTBG070N120M3S

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:

виведення Кельвіна

Заряд затвора:

57нКл

Корпус:

D2PAK-7

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-10...22В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

136мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

86Вт

Струм стока:

25А

Струм стоку в імпульсі:

93А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Провід; ÖLFLEX® CONTROL TM; 3x18AWG; неекранований; 0,6кВ,1кВ; Cu

195,77 грн

Будова екрану:
неекранований

Будова жили:
тросик

Вид жили:
Cu

Вид матеріалу:
не поширює полум'я

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
7,6пФ

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
1,2пФ

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
8,9нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
8,6нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
52,6нКл

Корпус:
U-DFN2020-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
70,8нКл

Корпус:
D2PAK; SOT404

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,9нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669