Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт

Немає в наявності
Код товару: S3M0025120D
431,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0025120D
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 175нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 517Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷80А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷80А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

1711,23 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
без поділки; з затвердженням контролю якості
Властивості шкали:
робоче положення 90°
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 2; 3÷36ВDC; TSSOP8; 100дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 2; 3÷36ВDC; TSSOP8; 100дБ

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Діапазон напруги живлення:
3...36В DC
Кількість каналів:
2
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 6,49кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 6,49кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; вилка; Iном: 4А; HDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; вилка; Iном: 4А; HDC

21602,92 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Конструкція кабелю/переходу:
гніздовий
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

881,27 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67

658,26 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
5м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

765,33 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл