Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 61А; Idm: 170А; 500Вт
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: WNSC2M40120B76J
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 61А; Idm: 170А; 500Вт

Немає в наявності

Код товару: WNSC2M40120B76J

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

WNSC2M40120B76J

Виробник:

WeEn Semiconductors

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:

виведення Кельвіна

Заряд затвора:

115нКл

Корпус:

TO263-7

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-4...18В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

56мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

500Вт

Струм стока:

61А

Струм стоку в імпульсі:

170А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; PIN: 4; 25м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C

8170,94 грн

Довжина кабелю:
25м

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR

Кількість пін:
4

Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67

Недоступний

Бажані

Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷20мм; 6÷48ВDC; M18; 2м; IP67

22211,13 грн

Вид голівки:
неекранований

Дальність:
0...20мм

Довжина відводів:
2м

Клас герметичності:
IP67

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT323

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
142нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
8,9нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
8,6нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
52,6нКл

Корпус:
U-DFN2020-6