Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 297А; 220Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBG022N120M3S
1348,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBG022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 142нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -3...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 220Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 297А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Симістор; 1,2кВ; 25А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 252А
Симістор; 1,2кВ; 25А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 252А

264,19 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO220ABIns
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; високої потужності; SMD; 1206; 0,5Вт
Резистор: thick film; 43кОм; високої потужності; SMD; 1206; 0,5Вт

0,44 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 418÷462В; 1А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 418÷462В; 1А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
376В
Корпус:
SMB
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32

217,31 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; MX150L; 600В; PIN: 16; IP67
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; MX150L; 600В; PIN: 16; IP67

737,46 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
16
Клас герметичності:
IP67
Колірна маркіровка:
червоний
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS232; 250кбіт/с; QFN20; туба
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS232; 250кбіт/с; QFN20; туба

299,67 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
full duplex; RS232
Кількість передавачів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603; 180мм

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD