Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8,6А; Idm: 392А; 3,7Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBG020N120SC1
2657,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,7Вт
Струм стока: 8,6А
Струм стоку в імпульсі: 392А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Тримач; пригвинчуваний,самоклеючі; поліамід; UL94V-2; A: 28мм
Тримач; пригвинчуваний,самоклеючі; поліамід; UL94V-2; A: 28мм

8,68 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
монтаж кабельних стягувань
Вимір D:
1,6мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір корпусу:
натуральний
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 300; лоток; 1,1В
IC: FPGA; SMD; I/O: 300; лоток; 1,1В

26399,55 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
300
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1В
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 22,2÷24,5В; 48А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 22,2÷24,5В; 48А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Двигун: серводвигун; з абсолютним енкодером; 1кВт; 230ВAC; 1S
Двигун: серводвигун; з абсолютним енкодером; 1кВт; 230ВAC; 1S

0,00 грн

Вид двигуна:
з абсолютним енкодером
Властивості двигунів:
прямий вал із багатошліцьовим профілем
Додаткові функції:
гальмо
Напруга живлення:
230В AC
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; проводи; 8імп./об; Поз: 32; 5ВDC; 40мА
Енкодер: інкрементальний; проводи; 8імп./об; Поз: 32; 5ВDC; 40мА

6128,37 грн

Властивості енкодерів:
IP65
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
17,5мм
Кількість всіх позицій:
32
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD