Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 119А; Idm: 220А; 565Вт

Немає в наявності
Код товару: SCTWA90N65G2V-4
1872,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCTWA90N65G2V-4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 157нКл
Корпус: HIP247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 565Вт
Струм стока: 119А
Струм стоку в імпульсі: 220А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 187А; Idm: 2255А; 316Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 187А; Idm: 2255А; 316Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90,4нКл
Корпус:
H-PSOF8L
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight

13,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,1мкФ; 630ВDC; 19x6,3x19мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,1мкФ; 630ВDC; 19x6,3x19мм; THT

10,96 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 53,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 53,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт,7,5Вт; Iвих: 500мА; SIP; THT; ККД: 95%
Перетворювач: DC/DC; 5Вт,7,5Вт; Iвих: 500мА; SIP; THT; ККД: 95%

Вихідна напруга:
9В
Вихідний струм:
0,5А
Відповідність стандарту:
EN
Зовнішні розміри:
11,6x7,5x10,2мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт

1829,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
104нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT