1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Немає в наявності
Код товару: STB100N10F7
164,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Технологія: STripFET™ F7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 1м; тросик; CCA; ПВХ; 26AWG
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 1м; тросик; CCA; ПВХ; 26AWG

80,46 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Недоступний
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс

1658,01 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
D55/T-module
Недоступний
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V

228,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 180В; 1,7А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 400Вт; 180В; 1,7А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
154В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD