1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Немає в наявності
Код товару: STB100N10F7
164,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Технологія: STripFET™ F7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight

25,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; straight

401,04 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 0,25м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 0,25м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG

427,65 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА

1813,86 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 кутова вилка лева; 10м; тросик
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 кутова вилка лева; 10м; тросик

5826,79 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD