Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 6,5А; Idm: 26А; 8,3Вт

Немає в наявності
Код товару: PHT6NQ10T,135
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: PHT6NQ10T,135
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC73; SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,3Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 166МГц; 35нс; FBGA24; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 166МГц; 35нс; FBGA24; -40÷85°C

325,65 грн

Вид пам’яті:
DRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
HyperBus
Корпус:
FBGA24
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 1.5A

193,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 1.5A

293,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Інструмент: багатофункціональний, для обробки проводів
Інструмент: багатофункціональний, для обробки проводів

1078,31 грн

Вид ізольованого проводу:
круглий
Властивості інструментів для обробки проводів:
нанесені симболи пояснюють функції окремих губок і матриць; пластикові накладки на рукоятках полегшують працю
Довжина:
0,22м
Застосування інструментів для обробки кінцівок:
неізольовані конектори 1,5 - 6мм2
Перехід: кабель-адаптер; гніздо; фланець (4 отвори),на панель
Перехід: кабель-адаптер; гніздо; фланець (4 отвори),на панель

994,05 грн

Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB A гніздо
Механічний монтаж:
на панель; фланець (4 отвори)
Роз’єм:
гніздо
Система блокування:
зовнішня різьба; що скручуються
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 48ВDC; 1,2А; SPST
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 48ВDC; 1,2А; SPST

341,49 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
1,5кВ AC
Довжина гвинта:
6мм
Застосування вимикачів:
UPS; для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Недоступний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 700В; 150А; D1P; пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 700В; 150А; D1P; пригвинчуваний

8415,49 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
700В
Корпус:
D1P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; 25Вт; TO252

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN5x6

18,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3

182,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 290Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 290Вт; D2PAK

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD