Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 0,8А; Idm: 4А; 350мВт

Немає в наявності
Код товару: PMZB290UNE2YL
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMZB290UNE2YL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: DFN1006B-3; SOT883B
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,8А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; Microwire; 256x8; SOIC8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; Microwire; 256x8; SOIC8; туба

41,81 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 24,4÷26,9В; 140,8А; односпрямована; ±5%; 5.0SMCJ
Діод: TVS; 5кВт; 24,4÷26,9В; 140,8А; односпрямована; ±5%; 5.0SMCJ

41,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
22В
Діод: TVS; 6,6кВт; 40÷44,2В; 114А; односпрямована; DO218AB
Діод: TVS; 6,6кВт; 40÷44,2В; 114А; односпрямована; DO218AB

89,33 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
DO218AB
Недоступний
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; CuBe; 0.45N; push-in
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; CuBe; 0.45N; push-in

755,20 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт

29,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK