1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2302A-TP
29,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2302A-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Кабель; плоска; 2x0,52мм2; проводи,DC 5,5/2,1 вилка; прямий; 5м
Кабель; плоска; 2x0,52мм2; проводи,DC 5,5/2,1 вилка; прямий; 5м

208,44 грн

Вид жили:
Cu
Діаметр жили:
20AWG
Довжина кабелю:
5м
Довжина контакту:
11мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

13,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 40,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,15нА
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8