1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 1,6А; Idm: 8,9А; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 1,6А; Idm: 8,9А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMV88ENEAR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMV88ENEAR
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 254мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 1,6А
Струм стоку в імпульсі: 8,9А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,7÷49,4В; 9,4А; односпрямована; ±5%; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,7÷49,4В; 9,4А; односпрямована; ±5%; SMB; P6SMB

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
40,2В
Корпус:
SMB
Недоступний
IC: перетворювач А/D; 2,7÷3,6В; ролик,cтрічка
IC: перетворювач А/D; 2,7÷3,6В; ролик,cтрічка

152,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
2,7...3,6В
Робоча температура:
-40...125°C
Гайка M30; Різьба: M30x1,5; PBT; 2шт.
Гайка M30; Різьба: M30x1,5; PBT; 2шт.

71,59 грн

Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Матеріал:
PBT
Різьба:
M30x1,5
Тип аксесуарів для датчиків:
гайка M30
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

10,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 220кОм; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 220кОм; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C

3,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
220кОм
Потужність:
0,3Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
249нКл
Корпус:
D2PAK-6
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK