1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Немає в наявності
Код товару: SQ2398ES-T1_GE3
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,4нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 720мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 1,6А
Струм стоку в імпульсі: 2,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 21А; Idm: 105А; 31Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 21А; Idm: 105А; 31Вт; TO220FP

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
Комбінезон; Розмір: 48,S; сірий; BASIC; на підтяжках; 245г/м2
Комбінезон; Розмір: 48,S; сірий; BASIC; на підтяжках; 245г/м2

1034,59 грн

Вага:
245г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
сірий
Матеріал:
бавовна; поліестер
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A

120,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; TSSOP20; 1,8÷3,6ВDC; CC430
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; TSSOP20; 1,8÷3,6ВDC; CC430

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Корпус:
TSSOP20
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,8...3,6В DC
Недоступний
Роз’єм: automotive; штекерний; AT; PIN: 12; на PCB
Роз’єм: automotive; штекерний; AT; PIN: 12; на PCB

114,04 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
12
Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 16,2кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Провід; силікон; SiD; 1x1мм2; дріт; Cu; сірий; 300В,500В; 100м
Провід; силікон; SiD; 1x1мм2; дріт; Cu; сірий; 300В,500В; 100м

43,08 грн

Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
SiD
Вид матеріалу:
негалогенний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263