Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 23,5А; Idm: 40А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 23,5А; Idm: 40А
Brand: VISHAY
SKU: SI7454FDP-T1-RE3
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI7454FDP-T1-RE3

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

26,5нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

34мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

39Вт

Струм стока:

23,5А

Струм стоку в імпульсі:

40А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
22нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
11,8нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
47нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PDFN56U

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2,7нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,4нКл

Корпус:
SOT323