Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 23,5А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI7454FDP-T1-RE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7454FDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26,5нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 34мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: 23,5А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Трансформатор: литий; 1,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 200мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 1,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 200мА; PCB; BVEI

425,75 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
7,5В
Зовнішні розміри:
32,5x27,5x21,8мм
Монтаж:
PCB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 140кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 140кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 125ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 125ВDC

618,35 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
сірий
Недоступний
Резистор: thin film; 280кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 280кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 4А; 40Вт; TO225
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 4А; 40Вт; TO225

62,09 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO225
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
80В
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А

6075,78 грн

Виводи:
проводи
Висота:
68мм
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
35В
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE

4,62 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
51В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268