Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,7А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI7456DP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7456DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 5,7А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

121,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,1мм
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 4; 1.5mm
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 4; 1.5mm

21,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Недоступний
Кристал; 24МГц; 18пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C
Кристал; 24МГц; 18пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C

3,61 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
18пФ
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Недоступний
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-810; CuBe; 8N; Plating: gold-plated
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-810; CuBe; 8N; Plating: gold-plated

15434,64 грн

Type of test probe:
RF
Вигин пружини макс.:
3,7мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
максимальний струм зовнішньої оболонки: 10 А
Діаметр коміра:
6,1мм
Недоступний
З`єднання: на рейку; 32А; 1кВ; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; W: 6,1мм
З`єднання: на рейку; 32А; 1кВ; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; W: 6,1мм

60,19 грн

Довжина:
39,5мм
Електричний монтаж:
push-in
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
FP (SC83 similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23

10,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA