Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 50А; Idm: 120А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 50А; Idm: 120А
Brand: VISHAY
SKU: SUP70090E-GE3
Price: 123.54 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SUP70090E-GE3

123,54 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 500

Крок додавання: 500

Код товару:

SUP70090E-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

50нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

9,3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

50А

Струм стоку в імпульсі:

120А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
16,5нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
7,3нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
174нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
27,3нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
33нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
14,5нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

191,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
I2PAK; TO262