Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK4N65D1B
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: WMK4N65D1B
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 14,5нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 2,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 112Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: WMOS™ D1
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,27 грн

Alias:
KGM03AR50J104KN
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CRG
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CRG

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

32,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; 5А; Igt: 15мкА; IPAK; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; 5А; Igt: 15мкА; IPAK; THT

13,68 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

2122,41 грн

Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT