Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 67,5А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIR882BDP-T1-RE3
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR882BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 81нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83,3Вт
Струм стока: 67,5А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

111,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
4,8мм
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm
Connector: wire-board; socket; male; data; Minitek; 2A; PIN: 16; 2mm

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 111÷123В; 1,2А; односпрямована; SOD123F; SMF

3,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMF; SOD123F
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669