Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR410DP-T1-GE3
35,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR410DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 6,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 62Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 62Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Наконечник; ніж; 2,5x0,3мм; з нагрівачем; Nano
Наконечник; ніж; 2,5x0,3мм; з нагрівачем; Nano

2432,85 грн

Застосування паяльного обладнання:
для гарячих нано-щипців; для нано-паяльника
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5x0,3мм
Серія виробника:
Nano
Недоступний
Індикатор: LED; плоска; білий холодний; 3,2ВDC; IP67; 2pin
Індикатор: LED; плоска; білий холодний; 3,2ВDC; IP67; 2pin

1093,51 грн

Виводи:
2pin
Вид індикатора:
плоска
Клас герметичності:
IP67
Колір індикатора:
білий холодний
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц

14,25 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Діод: TVS; односпрямована; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; односпрямована; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD323
Недоступний
З`єднання: на рейку; PA; L: 42,5мм; затиски: 2; W: 5,2мм; H: 59,5мм
З`єднання: на рейку; PA; L: 42,5мм; затиски: 2; W: 5,2мм; H: 59,5мм

47,52 грн

Висота:
59,5мм
Довжина:
42,5мм
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Роз’єм: M23; промислова; EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG
Роз’єм: M23; промислова; EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG

666,50 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG
Тип роз’єму:
M23
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669