Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

Немає в наявності
Код товару: SIRA90DP-T1-RE3
124,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA90DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 153нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 66,6Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 11,4В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 11,4В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1; 1KSMB

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
10,2В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%

404,21 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
82%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм

5,13 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
5мм
Енергія E10/1000мкс:
9Дж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer

5171,70 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
продовжені
Діапазон різки:
дріт середньої твердості Ø0,4мм макс.; м'який дріт Ø0,6мм макс.
Довжина щипців:
120мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669