Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Brand: VISHAY
SKU: SIS822DNT-T1-GE3
Price: 29.14 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIS822DNT-T1-GE3

29,14 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIS822DNT-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

12нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

30мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

10Вт

Струм стока:

12А

Струм стоку в імпульсі:

30А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,8нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,1А; 1,5Вт; SOT89

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT89

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,2Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,1нКл

Корпус:
SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 11А; 85Вт; TO263

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23

2,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,2А; Idm: 13А; 1,1Вт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5,2нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 16А; 330Вт; TO263

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
29нКл

Корпус:
TO263