Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 500В; 16А; 330Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFA16N50P3
152,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA16N50P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 330Вт
Струм стока: 16А
Технологія: HiPerFET™; Polar3™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: 9; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; на корпус
Маркер: кабельний; Маркування: 9; 1,3÷3мм; ПВХ; жовтий; на корпус

2,28 грн

Висота:
3,6мм
Довжина:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
1,3...3мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В

3,61 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 85÷265ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 85÷265ВAC; OUT: 1

2232,64 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
1,25А
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,01кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; QFN28; PIC24
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; QFN28; PIC24

147,62 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
FIFO; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PMP; PPS; RS232; RS485; SPI x2; UART x2
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 6,2Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
6,2Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48нКл