Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт
Brand: VISHAY
SKU: SIA462DJ-T1-GE3
Price: 8.68 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIA462DJ-T1-GE3

8,68 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIA462DJ-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

17нКл

Корпус:

PowerPAK® SC70

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

22мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

19Вт

Струм стока:

12А

Струм стоку в імпульсі:

40А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Інструмент: багатофункціональний, для обробки проводів

1078,31 грн

Вид ізольованого проводу:
круглий

Властивості інструментів для обробки проводів:
нанесені симболи пояснюють функції окремих губок і матриць; пластикові накладки на рукоятках полегшують працю

Довжина:
0,22м

Застосування інструментів для обробки кінцівок:
неізольовані конектори 1,5 - 6мм2