Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 14,2А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 14,2А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 68В; SMD; 250нА
Діод: зенера; 1,5Вт; 68В; SMD; 250нА

14593,28 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
68В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

88,70 грн

Виводи:
радіальні
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD

424,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; POR
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2S; SPI; UART; USB
Кількість входів/виходів:
48
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A

50,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC

492,90 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Pliers: insulated; side,cutting; hardened steel
Pliers: insulated; side,cutting; hardened steel

3675,88 грн

Type of pliers:
ізольовані
Вид щипці:
бічне; для різання
Відповідність стандарту:
ASTM-F 1505-94; IEC 60900
Властивості кусачок/ножів:
руків'я з пластмасовими насадками
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD