Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 14,2А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH112DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 14,2А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 430кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 430кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові

31,42 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 191Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 191Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
191Ом
Недоступний
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N

428,92 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,8мм
Довжина:
27,8мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW

4,05 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
11нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD