Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 2,5А; Idm: 10А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 2,5А; Idm: 10А
Brand: VISHAY
SKU: SI8808DB-T2-E1
Price: 9.38 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI8808DB-T2-E1

9,38 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI8808DB-T2-E1

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

10нКл

Корпус:

MICROFOOT®

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

0,165Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,9Вт

Струм стока:

2,5А

Струм стоку в імпульсі:

10А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
48нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
86,2нКл

Корпус:
TO263