Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4368DY-T1-E3
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4368DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; 330мкФ; 10ВDC; E; 2917; SMD; TCM
Конденсатор: полімерний; low ESR; 330мкФ; 10ВDC; E; 2917; SMD; TCM

175,49 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм

103,27 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
ADC; CAN-FD; DAC; DMX; I2C x3; IrDA; JTAG; LIN; PPS; PWM; QEI x2; SENT x2; SMBus; SPI x3; UART x3
Недоступний
Tap: metric; M1,6; right hand thread; 0.35; L: 32mm; initial; 2.1mm
Tap: metric; M1,6; right hand thread; 0.35; L: 32mm; initial; 2.1mm

193,87 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -2,5А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -2,5А; Idm: -20А

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SC74; SOT457; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263