1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Немає в наявності
Код товару: SIS402DN-T1-GE3
136,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS402DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: DIN 41612; data; PIN: 60; straight; Press-Fit
Connector: DIN 41612; data; PIN: 60; straight; Press-Fit

12355,57 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
Press-Fit
Кількість пін:
60
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 23,72В; 11,67А; односпрямована; DO219AB,SMF
Діод: TVS; 400Вт; 23,72В; 11,67А; односпрямована; DO219AB,SMF

14,76 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм

100,10 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
ADC; CAN-FD; DAC; DMX; I2C x3; IrDA; JTAG; LIN; PPS; PWM; QEI x2; SENT x2; SMBus; SPI x3; UART x3
Недоступний
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 2; L: 125mm; 11mm
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 2; L: 125mm; 11mm

5262,30 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

1108,09 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 40А; -55÷85°C
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 40А; -55÷85°C

18,12 грн

Енергія E10/1000мкс:
450мДж
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
100В
Робоча напруга макс.:
60В AC; 81В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268