Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MGSF2N02ELT1G
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MGSF2N02ELT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 2,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 2; ±2,5÷20ВDC,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 2; ±2,5÷20ВDC,5÷40ВDC

46,25 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
150нА
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 5м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex
Кабель: для сервоприводів; 5м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex

11673,86 грн

Engineering PN:
2090-CFBM7E7-CEAF05
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
5м
Модель:
заправлений
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

880,01 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD